三星将上架第八代V-NAND闪存：层数超过200、512GB仅厚0.8mm

作为全球NANDSRAM市场的一哥，Samsung在3DSRAM上又要压倒其他制造商了，日和在Samsung技术论坛上，Samsung公布了第八代V-NAND的细节，指针顶层最少200层，容量大可达1Tbit，512GB容量大的厚度也只有0.8mm，可常用手机。

Samsung的V-NANDSRAM现在演员发展到了第七代V-NAND V7，指针顶层176层，TLC版内部容量大512Gbit，而紧接著发行的V-NAND V8顶层将最少200——Samsung没提到确切多少层，但早先的报道中的反驳是228层，降低30%差不多，存储密度降低了40%差不多。

V-NAND V8SRAM的单颗内部容量大也从早先的512Gbit翻倍到了1Tbit，同时性能也更为强，IO接口速率从2Gbps降低到了2.4Gbps，性能更为适配最新的PCIe 5.0基准。

得益于存储容量大更为大. V-NAND V8SRAM的厚度依然可以操控在合理水平，封装512GB容量大也不最少0.8mm，可以常用新一代智能手机。

在未来，Samsung的V-NANDSRAM指针顶层还会进一步降低，路线图中的的目标是最少500层，这被视为3DSRAM的超强，不过Samsung还在期望取得成功，最终能制造1000层指针的3DSRAM。